MOSFET és BJT vannak mindkét tranzisztor . Egy tranzisztor egy elektronikus alkatrész három terminál , hogy lehet használni, mint egy elektronikusan vezérelt kapcsoló vagy egy feszültség , mint erősítőt. MOSFET rövidítése fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok . BJT jelentése bipoláris tranzisztor. Mind a MOSFET-ek és BJT széles körben használják az elektronika és a számítógépes tervezés . Bemeneti impedancia : Matton
MOSFET nagyobb bemeneti impedancia mint BJT . A bemeneti impedancia méri az ellenállást a bemeneti csatlakozó tranzisztor elektromos áram . Amikor feszültség erősítők tervezésénél kívánatos a bemeneti ellenállása legyen olyan magas, mint lehetséges. Ezért MOSFET szélesebb körben használják a bemeneti szakaszában feszültség erősítők .
Méret
MOSFET lehet sokkal kisebb , mint a BJT . Sokkal több MOSFET lehet helyezni egy kisebb területen , mint a BJT . Emiatt MOSFET alkotják a nagy részét a tranzisztorok használt mikrochipek és a számítógépes processzorok. MOSFET is könnyebb gyártani , mint BJT mert hogy kevesebb lépést tenni.
Noise
MOSFET kevésbé zajos BJT . Egy elektronikai kontextusban zaj utal véletlen interferencia jel . Amikor egy tranzisztort használ , hogy megerősítsék a jel a belső folyamatokat a tranzisztor vezet be néhány ilyen véletlen interferencia . BJT általában be több zaj a jel , mint a MOSFET-ek . Ez azt jelenti, MOSFET-ek alkalmasabbak jelfeldolgozó alkalmazások, illetve a feszültség erősítők .
Túlmelegedés
BJT szenvednek tulajdonság az úgynevezett ” termikus szökött . ” Thermal elszabadult azért történik, mert a vezetőképesség a BJT növekszik a hőmérséklet . Mivel hajlamosak tranzisztorok felmelegszik arányában átfolyó áram őket ez azt jelenti, hogy a vezetőképesség és a hőmérséklet a BJT exponenciálisan növelheti . Ez károsíthatja a BJT és teszi tervezés áramkörök BJT nehezebb. MOSFET nem szenvednek a túlmelegedés .
